|
Сканирующий туннельный микроскоп
Компания «Криотрейд инжиниринг» представляет комбинированный атомно-силовой / сканирующий туннельный микроскоп attoAFM/STM производства немецкой компании attocube.
Комбинированный микроскоп attoAFM/STM, объединяющий в себе атомно-силовой микроскоп, работающий в бесконтактном режиме и туннельный микроскоп, является очень универсальным инструментом исследования образцов. В отличие от attoAFM III, в микроскопе attoAFM/STM используется кварцевый камертонный резонатор с горизонтальным расположением, на одной ноге которого закреплена сверхтонкая заостренная вольфрамовая игла, играющая роль зонда. Такая конструкция микроскопа позволяет проводить исследования методом СТМ небольших проводящих участков на больших непроводящих образцах. Одним из неоспоримых достоинств этого микроскопа является большой диапазон сканирования по сравнению с традиционными СТМ-микроскопами, поскольку в attoAFM/STM используется пьезосканер ANS, а не обычный пьезоэлемент. За счет этого существенно упрощается задача поиска области сканирования наноструктурированного образца. В обычных СТМ-микроскопах зачастую просто отсутствует возможность горизонтального позиционирования в макроскопических масштабах. В АСМ-режиме миниатюрный пьезоэлемент возбуждает механические колебания кварцевого камертона на резонансной частоте. Это позволяет относительно быстро снять АСМ-изображение непроводящих областей образца в бесконтактном режиме и получить топографию поверхности всего образца. В СТМ-режиме игла электрически соединяется с усилителем тока/напряжения для измерения туннельного тока. Между иглой и образцом прикладывается напряжение смещения, которое вызывает туннельный ток, экспоненциально зависящий от расстояния между иглой и образцом. В режиме постоянной высоты сканирование происходит в плоскости, параллельной поверхности образца. В случае постоянной плотности электронных состояний образца, величина туннельного тока между зондом и образцом отражает топографию поверхности образца. Поскольку в этом режиме отсутствует необходимость подстройки расстояния между зондом и образцом, сканирование можно проводить на достаточно большой скорости. Однако поверхность образца при этом должна быть достаточно гладкой – любые неровности высотой 5 – 10 Å приведут к удару зонда о поверхность. В этом случае предпочтителен режим, в котором поддерживается постоянным туннельный ток. В этом режиме система обратной связи следит за величиной туннельного тока и постоянно подстраивает вертикальное положение иглы так, чтобы ток оставался постоянным. Это происходит за счет подстройки напряжения на Z-пьезоэлементе. В дополнение к этим двум режимам СТМ, есть еще один режим исследования электронных свойств поверхности образца – сканирующая туннельная спектроскопия. Путем изменения напряжения смещения при постоянном расстоянии между зондом и образцом можно получать зависимости I/V. Более того, применяя метод синхронного детектирования, можно измерять туннельную проводимость dI/dV путем модуляции напряжения смещения и регистрации туннельного тока на этой же частоте. При этом можно показать, что dI/dV прямо пропорционально локальной плотности электронных состояний. В отличие от классических сверхвысоковакуумных СТМ-микроскопов, предназначенных для in-situ исследований выращенных образцов, основное применение микроскопа attoAFM/STM – широкий спектр исследований наноструктур методом сканирующей туннельной спектроскопии. Ключевые особенности и преимущества сканирующего туннельного микроскопа attoAFM/STM производства attocube
Для уточнения цены и сроков поставки оборудования связывайтесь с техническими специалистами «Криотрейд инжиниринг». |